单项选择题
A.硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法<三氯化硅氢还原法B.四氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法C.三氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法D.硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法<四氯化硅氢还原法
注入能量和剂量分别控制了掺杂层的()A.长度和宽度B.电阻率和电导率C.浓度和结深D.结深和浓度
单项选择题注入能量和剂量分别控制了掺杂层的()
A.长度和宽度B.电阻率和电导率C.浓度和结深D.结深和浓度
掺杂结束后,要对硅片进行质量检测,造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是()A.离子束中混入电子B.注入机未清洁干...
单项选择题掺杂结束后,要对硅片进行质量检测,造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是()
A.离子束中混入电子B.注入机未清洁干净C.注入过程中晶圆的倾斜角度不合适D.离子束电流检测不够精准
用比色法进行氧化层厚度的检测时,看到的色彩是()色彩。A.反射B.干涉C.衍射D.二氧化硅膜本身
单项选择题用比色法进行氧化层厚度的检测时,看到的色彩是()色彩。
A.反射B.干涉C.衍射D.二氧化硅膜本身