问答题
高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力，并可以在300-400℃较低的淀积温度下，制备......
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CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
问答题CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
解释APCVD，使用APCVDSiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
问答题解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
