问答题
1.更高的工艺温度（250-450℃）；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；......
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沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
解释APCVD，使用APCVDSiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
问答题解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
列出沉积的5种主要技术。
问答题列出沉积的5种主要技术。
