简答题 沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

解释APCVD，使用APCVDSiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

问答题解释APCVD，使用APCVD SiO₂的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

列出沉积的5种主要技术。

问答题列出沉积的5种主要技术。

列举并描述薄膜生长的三个阶段。

问答题列举并描述薄膜生长的三个阶段。