多项选择题
A.金属和半导体之间存在功函数差B.绝缘层中存在电荷C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态D.外加偏压
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆...
多项选择题在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()
A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触B.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触C.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触D.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是()A.平坦能带状...
单项选择题对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是()
A.平坦能带状态B.深耗尽状态C.少子反型状态D.本征状态
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?()A.AB.BC.CD.D
单项选择题
对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?()
A.AB.BC.CD.D