多项选择题
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）A.平坦能带状...
单项选择题对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
A.平坦能带状态B.深耗尽状态C.少子反型状态D.本征状态
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）A.AB.BC.CD.D
单项选择题
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
A.AB.BC.CD.D
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤...
单项选择题理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
A.VS≥2VBB.VS＞VBC.VS≤2VBD.VS＜VB
