多项选择题
A.光刻耗费时间最多B.光刻耗费时间最少C.光刻决定了特征尺寸D.光刻成本最高
现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B...
单项选择题现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B.打底膜、前烘、后烘、坚膜C.预烘、坚膜、前烘、后烘D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
Si3N4薄膜的特性有（）。A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
多项选择题Si3N4薄膜的特性有（）。
A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
Si3N4薄膜的用途有（）。A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D...
多项选择题Si3N4薄膜的用途有（）。
A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D.选择性氧化的掩蔽膜
