单项选择题
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B.打底膜、前烘、后烘、坚膜C.预烘、坚膜、前烘、后烘D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
Si3N4薄膜的特性有()。A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
多项选择题Si3N4薄膜的特性有()。
A.针孔少B.对底层金属可保形覆盖C.介电常数较大D.扩散掩蔽能力强
Si3N4薄膜的用途有()。A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D...
多项选择题Si3N4薄膜的用途有()。
A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D.选择性氧化的掩蔽膜
实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有()。A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角
多项选择题实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有()。
A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角