单项选择题
A.单晶硅刻蚀 B.多晶硅刻蚀 C.二氧化硅刻蚀 D.氮化硅刻蚀
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A.气体B.等离子体C.固体D...
单项选择题在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
A.气体 B.等离子体 C.固体 D.液体
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A.铜B.铝C.金D.二氧化硅
单项选择题在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
A.铜 B.铝 C.金 D.二氧化硅
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3
多项选择题下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF4 B.BCl3 C.Cl2 D.F2 E.CHF3
