在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A.单晶硅刻蚀B.多晶硅刻蚀C.二氧化硅刻蚀D.氮化硅刻蚀

单项选择题在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A.气体B.等离子体C.固体D...

单项选择题在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF₄的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A.铜B.铝C.金D.二氧化硅

单项选择题在刻蚀（）过程中假如我们在CF₅的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。