单项选择题
A.钠 B.钾 C.氢 D.硼
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。A.降低B.增加C.不变D...
单项选择题二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
A.降低 B.增加 C.不变 D.先降低后增加
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A.分凝度B.固溶度C.分凝系数D.扩散系数
单项选择题表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
A.分凝度 B.固溶度 C.分凝系数 D.扩散系数
（）的方法有利于减少热预算。A.高压氧化B.湿氧氧化C.掺氯氧化D.氢氧合成氧化E.等离子增强氧化
多项选择题（）的方法有利于减少热预算。
A.高压氧化 B.湿氧氧化 C.掺氯氧化 D.氢氧合成氧化 E.等离子增强氧化
