多项选择题
A.施主离子B.电子C.空穴D.受主离子
当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）A.漏...
多项选择题当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）
A.漏极电流B.阈电压C.单位面积栅电容D.跨导
在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）A.沟道迁移率恒定近似B.耗尽近似C.强...
多项选择题在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）
A.沟道迁移率恒定近似B.耗尽近似C.强反型近似D.缓变沟道近似
MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）A.基区宽度调变效应B.阈...
多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）
A.基区宽度调变效应B.阈电压的短沟道效应C.漏区静电场对沟道的反馈D.有效沟道调制效应
