预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。

二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。

半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。