二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。

半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。

判断题温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。