问答题
它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1
描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
问答题描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？
问答题解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？
CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
问答题CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
