问答题
使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙。
解释HDPCVD,它在IC中有什么优势?
问答题解释HDPCVD,它在IC中有什么优势?
CVD过程中采用等离子体的优点有哪些?
问答题CVD过程中采用等离子体的优点有哪些?
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。