单项选择题
A.高压氧化B.水汽氧化C.湿氧氧化D.含氯氧化
热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅。A.44B.56C.54D.46
单项选择题热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅。
A.44B.56C.54D.46
二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数B.杂质在二氧化硅...
单项选择题二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）
A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数B.杂质在二氧化硅中的扩散系数等于其在硅中的扩散系数C.杂质硅中的扩散系数远小于其在二氧化硅中的扩散系数D.杂质在二氧化硅中不扩散
集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是
单项选择题集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）
A.化学汽相沉积B.原子层沉积C.热氧化D.以上都是
