问答题
整面全*区覆盖氧化层、局部硅氧化(LOCOS)、浅槽隔离(STI)、P型掺杂结也可以用于形成相邻晶体管的电气隔离。
简述CMP技术的优点
问答题简述CMP技术的优点
简述钽在铜互连工艺中的作用
问答题简述钽在铜互连工艺中的作用
简述双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程
问答题简述双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程