单项选择题
A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电荷影响更大B.无法确定C.靠近栅极界面的电荷与靠近 半导体界面的电荷的影响相同D.靠近 半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
对MIS电容有明显影响的是（）。A.氧化层中固定电荷QfB.界面陷阱电荷QitC.氧化层中可动电荷QmD.氧化...
单项选择题对MIS电容有明显影响的是（）。
A.氧化层中固定电荷QfB.界面陷阱电荷QitC.氧化层中可动电荷QmD.氧化层中陷阱电荷Qot
B-T实验主要是用来测量（）。A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化...
单项选择题B-T实验主要是用来测量（）。
A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化层中可动电荷Qm
某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。A.以下说法都不对B.半...
单项选择题某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
A.以下说法都不对B.半导体表面势为正C.半导体表面处于积累状态D.半导体表面能带向下弯曲
