单项选择题
A.10-2~10-5B.10-5~10-7C.10-7~10-10D.10-17~10-20
从安全上看，四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为（）A.硅烷热分解法＜...
单项选择题从安全上看，四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为（）
A.硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法＜三氯化硅氢还原法B.四氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法C.三氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法D.硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法＜四氯化硅氢还原法
注入能量和剂量分别控制了掺杂层的（）A.长度和宽度B.电阻率和电导率C.浓度和结深D.结深和浓度
单项选择题注入能量和剂量分别控制了掺杂层的（）
A.长度和宽度B.电阻率和电导率C.浓度和结深D.结深和浓度
掺杂结束后，要对硅片进行质量检测，造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是（）A.离子束中混入电子B.注入机未清洁干...
单项选择题掺杂结束后，要对硅片进行质量检测，造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是（）
A.离子束中混入电子B.注入机未清洁干净C.注入过程中晶圆的倾斜角度不合适D.离子束电流检测不够精准
