单项选择题
A.缩短沟道长度B.减小沟道宽度C.提高衬底掺杂浓度D.减小氧化层厚度
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电...
单项选择题关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。
A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电荷影响更大B.无法确定C.靠近栅极界面的电荷与靠近 半导体界面的电荷的影响相同D.靠近 半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
对MIS电容有明显影响的是（）。A.氧化层中固定电荷QfB.界面陷阱电荷QitC.氧化层中可动电荷QmD.氧化...
单项选择题对MIS电容有明显影响的是（）。
A.氧化层中固定电荷QfB.界面陷阱电荷QitC.氧化层中可动电荷QmD.氧化层中陷阱电荷Qot
B-T实验主要是用来测量（）。A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化...
单项选择题B-T实验主要是用来测量（）。
A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化层中可动电荷Qm
