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简要说明JFET的工作原理。
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问答题
晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度N
B
=10
19
cm
-3
，集电区的杂质浓度N
C
=5×10
15
cm
-3
，基区的宽度W
B
=0.3μm，集电区宽度W
C
=10μm，求晶体管的击穿电压。
问答题
硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T
jm
=200℃，锗T
jm
=100℃）
问答题
已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为x
jc
=5μm，x
je
=3μm，电子扩散系数D
n
=8cm
2
/s，τ
n
=1μs，本征基区方块电阻R
sB
=2500Ω，R
sE
=5Ω计算其电流放大系数α、β。
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