晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度N_B=10¹⁹cm^-3，集电区的杂质浓度N_C=5×10¹⁵cm^-3，基区的宽度W_B=0.3μm，集电区宽度W_C=10μm，求晶体管的击穿电压。

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问答题

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硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。

晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度NB=1019cm-3，集电区的杂质浓度NC=5×1015cm-3，基区的宽度WB=0.3μm，集电区宽度WC=10μm，求晶体管的击穿电压。