硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T_jm=200℃，锗T_jm=100℃）

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问答题

问答题

硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。

问答题

硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅Tjm=200℃，锗Tjm=100℃）