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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

多项选择题

在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）

A.在局部阻挡掺杂
B.对器件结构造成连接或短路
C.对微小器件结构造成沟型损伤
D.整片硅片报废

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多项选择题
分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）

A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准确
B.检查是否有沟道效应
C.检查注入能量系统
D.检查注入速度和时间是否准确
多项选择题
以下是离子注入过程中的主要参数的是（）

A.剂量与束流密度
B.射程与注入能量
C.注入角度
D.晶圆
多项选择题
下列可能造成离子源沾污的因素是（）

A.离子源是否被沾污
B.真空系统是否漏气
C.原材料是否满足纯度要求
D.光刻胶的碱性元素沾污
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