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单项选择题

掺杂结束后，要对硅片进行质量检测，造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是（）

A.离子束中混入电子
B.注入机未清洁干净
C.注入过程中晶圆的倾斜角度不合适
D.离子束电流检测不够精准

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单项选择题
用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。

A.反射
B.干涉
C.衍射
D.二氧化硅膜本身
单项选择题
在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）

A.外延
B.热氧化
C.PVD
D.CVD
单项选择题
干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）

A.形成所需的二氧化硅膜厚
B.获得致密的二氧化硅表面
C.提高二氧化硅和光刻胶的黏附性
D.改善二氧化硅和硅交界面的性能
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